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本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制作全自对准条型栅功率ＤＭＯＳ晶体管的方法，包括：Ａ．在衬底上生长外延，然后进行场区氧化，形成场氧化层；Ｂ．刻蚀有源区的场氧化层，进行栅氧化，淀积多晶硅，对淀积的多晶硅进行掺杂；Ｃ．...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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