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一种低特征导通电阻的集成型沟槽栅功率半导体晶体管，包括：P型衬底，在衬底上方设有N型外延层，外延层内设有介质沟槽，沟槽横向一侧设有N型重掺杂的漏区并位于外延层表面，在漏区上连接有漏极金属电极，在沟槽的横向另一侧设有N型重掺杂的源区和P型重掺...
该专利属于东南大学—无锡集成电路技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学—无锡集成电路技术研究所授权不得商用。

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