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功率IC器件及其制造方法技术
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文档序号:3233849
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一种功率IC器件,其中,表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率MOS晶体管形成在同一个芯片上,其特征在于: 上述沟槽型功率MOS晶体管的源区和上述表层沟道CMOS晶体管的栅极被设置在同一个平面上。...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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