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通过在工件上执行氟碳基蚀刻处理以蚀刻电介质层的露出部分同时在光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物来在蚀刻反应器中首先执行用于使用光刻胶掩膜蚀刻多孔掺杂碳氧化硅电介质层的等离子体蚀刻处理。然后，在灰化反应器中，通过将工件加热超过１００℃来去除聚合...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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