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本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞ｐ－ｎ结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ＺｎＳ薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成ｐ－ｎ结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠...该专利属于淮阴师范学院;中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过淮阴师范学院;中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。