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一种制作双功函数半导体元件的方法，包括提供具有第一区与第二区的基底，于第一区与第二区上形成栅极介电层，于栅极介电层上形成金属栅极层，其中金属栅极层具有第一（初镀）功函数，第一（初镀）功函数可以通过于其上引发应变而调整，以及选择性形成第一应变...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心授权不得商用。