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本发明提供了一种解决因晶圆翘曲形变导致对准偏差的方法，提供待对准的晶圆，将晶圆内翘曲形变量小于300微米的区域设定为待检测区域；选择待检测区域内的多个对位标记进行坐标测量，建立粗对准偏差模型；选择待检测区域内的其余多个对位标记进行坐标测量，...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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