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双栅型高压ＭＯＳ集成电路属半导体集成电路领域，它采用多个相同的双栅型高压ＮＭＯＳ器件组成，每个器件都采用双栅结构，利用双栅结构增大寄生双极晶体管的有效基区宽度，抑制寄生双极晶体管的激活，从而防止负阻击穿，与此同时，在电流能力不变条件下，面积...
该专利属于南京工学院所有，仅供学习研究参考，未经过南京工学院授权不得商用。

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