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本发明是一种制备高蒸气压组分的Ⅲ－Ⅴ族半导体化合物薄膜的射频溅射方法．为使溅射膜有较好化学计量比，本发明采用合成Ⅲ－Ⅴ族化合物块锭或碎料和相应的高蒸气压五族元素材料一起作为溅射靶并置于溅射室下方．本发明方法可在不同的衬底温度下，得到单晶，多...
该专利属于中国科学院上海冶金研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海冶金研究所授权不得商用。

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