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在半导体基片２０内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板３４，基片２０用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅３８，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基...
该专利属于得克萨斯仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过得克萨斯仪器公司授权不得商用。

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