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一种高压垂直扩散场效应管的制作方法，属半导体器件技术领域已有技术是在低阻Ｎ＋［＋］的硅单晶衬底片上，生长一层高阻Ｎ＋［－］外延层然后在外延层上进行双扩散制作而成。本发明不用外延片，直接在硅单晶片上制作高压ＶＤＭＯＳ晶体管，然后采用晶片减薄工...
该专利属于北京市半导体器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京市半导体器件研究所授权不得商用。

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