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一种各向异性腐蚀（１００）硅片晶面的改进方法，它包括将其硅晶片浸渍在腐蚀溶液中，其腐蚀溶液含有一种芳族化合物，该芳族化合物苯环上具有至少两个相临的羟基和一个极性官能团，一种胺和水。达到了高质量的腐蚀，其速率高得多。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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