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本发明提供了一种平面嵌入式硅膜电容压力传感器及其制造方法。本发明的传感器的硅膜下面的空腔是从硅片的正面掏空硅体而形成的密封腔体，电容器的电极分别做在腔体内硅膜的下表面和腔体的底面上，电容器的上下电极和硅膜由绝缘介质所隔离和支撑。它是采用扩散...
该专利属于涂相征;李韫言所有，仅供学习研究参考，未经过涂相征;李韫言授权不得商用。

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