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本发明介绍了具有异型掺杂岛的半导体功率器件的耐压层，其特征是在耐压层中引入异型掺杂岛代替以往的一种导电类型的耐压层。耐压层中的异型掺杂岛是与衬底平行排列，异型掺杂岛可以是单层或多层，相邻两层异型掺杂岛是重迭排列或交错排列，其耐压层导通电阻与...
该专利属于三维半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过三维半导体股份有限公司授权不得商用。

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