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本发明揭示了一种LED及其制备方法。一种LED包括衬底、高温成核层及NGaN层。高温成核层及NGaN层在衬底上依次生长。本发明LED的底层结构在高温成核层上直接生长NGaN层，膜层质量明显变好，并由于增加了底层的掺杂，降低了电压，可大幅增加...
该专利属于聚灿光电科技（宿迁）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技（宿迁）有限公司授权不得商用。

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