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在Ｐ型半导体衬底表面有选择地形成场氧化物层，将半导体衬底表面隔成二个元件形成区。在包括元件形成区的半导体衬底表面形成Ｎ↑［－］型外延层。在一个元件形成区表面形成Ｎ↑［＋］集电极扩散区。在另一个元件形成区表面形成浅结Ｐ型基极区。在Ｐ型基极表面...
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