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本发明公开了一种带P型终端的AlGaN/GaN异质结多沟道功率二极管，主要解决现击穿电压和导通电流密度低的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、多沟道层、GaN帽层和钝化层，该多沟道层和GaN帽层的...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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