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一种在非晶硅上层叠有硅化钨的构造的栅电极，包括在半导体衬底上部形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上部由乙硅烷气体形成的非晶硅层；在所述非晶硅层上部形成的、含微量质杂的硅化钨层，所述非晶硅层具有可防止所述杂质向栅绝缘膜侧渗透的粒度尺寸。...
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