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一种用于形成一半导体装置之金属接线的方法，包括的步骤为：提供一半导体基片：形成一层间隔离用膜设置以一接触孔在该半导体基片上；形成一第一钛膜 该层间隔离用膜之形成后所得到的最终结果上方；形成一多重层在该第一钛膜上方，此多重层为由一第一钛氮化...
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