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中间电压发生电路及含有该电路的非易失半导体存储器制造技术
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下载中间电压发生电路及含有该电路的非易失半导体存储器的技术资料
文档序号:3221894
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本发明揭示的中间电压发生电路在输出节点(C)和VPP电源端子之间连接上拉用P沟道MOS晶体管(TP1),在输出节点(C)和VSS电源端子间连接下拉用N沟道MOS晶体管(TN6)。输出节点先充电至VPP,若控制信号(SAEN)为L电平,则该节...
该专利属于东芝株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东芝株式会社授权不得商用。
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