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一种集成电路的制造方法，步骤为：Ｐ型硅半导体基板上形成氧化硅垫层和氮化硅，形成对准标记，在Ｐ型硅半导体基板形成Ｎ井区光阻图案，透过氮化硅层和氧化硅垫层进行Ｎ型离子布植，形成Ｎ掺杂区域，及Ｐ掺杂区域，并去除Ｐ井区光阻图案，以形成Ｎ井区及Ｐ井区...
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