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本发明的半导体存储装置，具有正常动作方式和自更新动作方式，并备有：Ｖ↓［ＢＢ］发生电路（２０４），当内部电源电压（Ｖ↓［ＣＣ］）大于规定值时，生成第１衬底电压（Ｖ↓［ＢＢ１］），而当小于时，生成绝对值更小的第２衬底电压（Ｖ↓［ＢＢ２］）；位...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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