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一种在集成电路上形成多层导体结构的方法。该方法包括形成第一导体层和在第一导体层之上形成第一介电层。该方法还包括在第一介电层之上形成第二导体层。还包括蚀刻穿过第二导体层并至少部分进入第一介电层，在第二导体层和第一介电层中形成槽，从而去除至少一...
该专利属于西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司授权不得商用。

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