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公开一种多阶快闪存储单元及其制造方法，该存储单元包括：一ｐ型硅基底；一深ｎ井，位于该ｐ型硅基底中；一ｐ井，位于该深ｎ井中；一第一绝缘层，位于该ｐ井表面上；三个浮置栅极，彼此邻近但隔绝，且位于该第一绝缘层上；一源极区和一漏极区，位于该ｐ井中，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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