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本发明提供了一种电子束投影孔径生成方法，它包括：把聚焦的离子束施加到基片顶表面的步骤，以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度以在所述顶表面形成所需要的图形的开口；以及把所述聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的基片底表...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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