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一种具有增大的检测面积和改进的放射线检测灵敏度的放射线检测装置，包括一个由具有高电阻率的ｎ－型非晶或多晶半导体构成的半导体层，其中空穴的μτ乘积（迁移率×平均寿命）大于电子的μτ乘积。在半导体的一个表面上形成一个表面电极，对其提供一个负的偏...
该专利属于株式会社岛津制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社岛津制作所授权不得商用。

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