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一种氧化物超导体产品，其具有一层设置在基底上的氧化物超导体薄膜，其厚度大于０．５微米，该产品在７７ｋ、零磁场下具有大于或者等于１０＃＋［５］Ａ／ｃｍ＃＋［２］的临界电流密度（Ｊｃ）。该氧化物超导体薄膜的特征在于其具有高的临界电流密度和高体积...
该专利属于麻省理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过麻省理工学院授权不得商用。

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