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一种用于ＤＲＡＭ单元的转移器件。形成转移器件的沟道，使沟道的硼离子浓度最高，由此增加了ＤＲＡＭ单元的阈值电压，并降低了截止电流。还公开了这种转移器件的制造工艺。...
该专利属于国际商业机器公司;英芬能技术北美公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;英芬能技术北美公司授权不得商用。

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