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一种集成电路，包含金属氧化物薄膜（１００，２００，３００，６０１）。进行恢复性退火以抵消由氢引起的铁电性能的降低。惰性气体恢复性退火处理在惰性气体氮、氩或者其它类似气体气氛中进行，其温度范围为３００℃～１０００℃，持续时间从一分钟到两个小时...
该专利属于塞姆特里克斯公司;英菲尼昂科技股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过塞姆特里克斯公司;英菲尼昂科技股份公司授权不得商用。

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