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本发明的第１目的是提供具有在与氧化硅膜相比可减薄膜厚并且防止了性能变坏的栅绝缘膜的系统化的半导体装置，第２目的是提供通过提高元件隔离绝缘膜或ＳＯＩ衬底内的埋入氧化膜的抗热载流子的性能来提高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备由在硅衬底...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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