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本发明提供一种具有多量子阱结构激活层的第一氮化物半导体光发射器件，该器件具有改进的发光强度和优良的耐静电压特性，从而能把应用扩展到多种产品中。激活层７是由包含Ｉｎ↓［ａ］Ｇａ↓［１－ａ］Ｎ（０≤ａ＜１）的多个量子阱结构构成。在包含ｐ型杂质的...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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