温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有增大的栅耦合电容的集成电路（１００）。所述集成电路（１００）包括具有表面（１１０）的基底（１０２），该基底（１０２）具有一条在所述表面（１１０）下延伸的沟道（１０６）。一种沟道填充材料（１０８）设置于所述沟道（１０６）内并...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。