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本发明公开了一种具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器，它具有比ＳＲＡＭ快的存取时间、与ＤＲＡＭ相似的高密度以及类似快闪存储器的非易失性的特性。磁性随机存取存储器包括一个垂直结构晶体管、一条包括该晶体管的第一字线、一条连接该晶体管的接触线、...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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