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提供一种ＭＯＳ场效应管，包括第一导电型衬底（２）。同样沉积在衬底上的第一导电型的外延层（１）。第一和第二主体区域（５ａ，６ａ，５ｂ，６ｂ）位于外延层内并且确定二者之间的漂移区域。主体区域具有第二导电型。第一导电型的第一和第二源极区（７，８）...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

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