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本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：在包含Ｓｉ和Ｓｉ以外的ＩＶ族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Ｓｉ以外的ＩＶ族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。靠外延生长形成含污染物质的Ｓｉ／ＳｉＧｅ膜以后，马上通过湿蚀刻来...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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