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本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用ＣＭＰ技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：（１）从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为３～６克／立方厘米而且次级粒子平均粒径为...
该专利属于日立化成工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立化成工业株式会社授权不得商用。

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