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提供一种使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法。在一个实施例中，使用低能、高剂量离子注入工艺形成阱区至沟槽隔离层的深度。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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