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金属氧化物介电膜气相生长方法和PZT膜技术
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文档序号:3209736
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为了使用有机金属源气体在基底导电材料上形成具有用ABO↓[3]表示的钙钛矿型晶体结构的金属氧化物介电膜,在第一沉积条件下,在基底导电材料上形成初始钙钛矿晶核或初始无定形层,所述初始无定形层具有无定形结构;和在第二沉积条件下,在初始晶核或初始...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。
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