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本实用新型公开了一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，包括配重压块、不锈钢卡块、陶瓷盘、吸附垫、圆定盘和研磨台；不锈钢卡块和陶瓷盘均为环形结构，不锈钢卡块连接在陶瓷盘上表面，配重压块活动卡合在不锈钢卡块的内环中；吸附垫的数量为三块以上，吸附垫...
该专利属于中锗科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中锗科技有限公司授权不得商用。

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