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一种以单一晶圆式化学气相沉积的反应器连续形成氧化物／氮化物／氧化物绝缘层的制造方法，放置基底于单一晶圆式化学气相沉积的反应器中；导入含氧前驱体于单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，以沉积第一氧化层于基底表面；导入含氮前驱体于单一晶圆式化学气...
该专利属于矽统科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽统科技股份有限公司授权不得商用。

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