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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在氢气氛中进行热处理的过程中，可以确实有效地防止氢侵入电容绝缘膜中。解决该任务的技术措施是，在半导体衬底１００上形成第１氢阻挡膜１０８，在该第１氢阻挡膜１０８上间隔导电膜１１０形成电容下部电极１１１；在...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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