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本发明公开了一种半导体存储装置。该装置中的非易失性存储器单元包括有：一ＭＯＳ选择晶体管，包括有一选择栅极，电连接一字线，一第一源极掺杂区，电连接一源极线，以及一第一漏极掺杂区；以及一ＭＯＳ浮置栅极晶体管，串接该ＭＯＳ选择晶体管，该ＭＯＳ浮置...
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