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一种金属线间介质膜的ＨＤＰＣＶＤ淀积工艺，针对金属互连线间槽深Ａ、槽宽Ｒ，高宽比Ａ／Ｒ≤２．３的金属线结构，其特征在于采用两步淀积法： 第一步淀积Ｄ／Ｓ为３．３－３．４，厚度为４００－５００ｎｍ； 第二步淀积Ｄ／Ｓ为５．８－６．...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司、上海华虹（集团）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司、上海华虹（集团）有限公司授权不得商用。