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一种制造集成电路的工艺方法；此方法包括 引入一测试晶片到生产流线晶片群中去形成一组制程实验组，每个晶片都须尚未经闸门层介电质生成的制程步骤，导入此实验组于闸门介电层生成的流程，形成氮氧化硅的薄膜到预定厚度不多于４０埃，其于形成之温度及...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种制造集成电路的工艺方法；此方法包括 引入一测试晶片到生产流线晶片群中去形成一组制程实验组，每个晶片都须尚未经闸门层介电质生成的制程步骤，导入此实验组于闸门介电层生成的流程，形成氮氧化硅的薄膜到预定厚度不多于４０埃，其于形成之温度及...