下载自对准内埋接触对及其形成方法的技术资料

文档序号:3204309

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种自对准内埋接触(BC)对,包括:衬底,具有多个扩散区;氧化物层,露出形成在衬底上的扩散区对;位线,相邻的扩散区之间,并且位于氧化物层上,位线的每一个具有形成在其侧壁上的位线侧壁隔片;第一层间介质(ILD)层,在位线和氧化物层上形成;BC...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。