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一种半导体装置及其制造方法。其解决现有的功率ＭＯＳＦＥＴ通过宽的环状区和屏蔽金属来防止周边的翻转时的周边区域的面积变大使扩大元件区域的面积是有限的。本发明半导体装置设置ＭＩＳ（ＭＯＳ）结构的防止翻转区域。其宽度例如只要有多晶硅宽度便可，在沟...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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