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适用于抛光半导体晶片的水性组合物。该组合物包含可抑制碳氮化硅去除速率的非离子表面活性剂，且该非离子表面活性剂具有亲水基和疏水基。该疏水基具有大于３的碳链长度。如使用１３．８ｋＰａ的垂直于晶片的微孔聚氨酯抛光垫板压力所测，该非离子表面活性剂对...
该专利属于CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司所有，仅供学习研究参考，未经过CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司授权不得商用。

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