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一种半导体装置的蚀刻方法，包含以下步骤：　　　　提供一基底；　　　　于该基底上形成若干工作层；　　　　于该工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置；　　　　蚀刻移除所述工作层未被该光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口；　　　　于该开口侧壁形成...
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