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本公开提供了一种漏极区中的鳍高度低于源极区中的鳍高度的FINFET以及相关方法。一种FinFET包括半导体鳍、以及位于同一半导体鳍中的源极区和漏极区。漏极区具有位于沟槽隔离上方的第一鳍高度；以及源极区具有位于沟槽隔离上方的第二鳍高度。第一鳍...
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