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半导体结构及其形成方法技术
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文档序号:32028044
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一种半导体结构及其形成方法,所述结构包含半导体基底以及设置于半导体基底中的隔离部件。隔离部件包含沿着隔离部件与半导体基底之间的边界设置的衬层、设置于衬层之上的第一氧化物填充层、以封闭环形方式围绕第一氧化物填充层的介电阻挡结构、以及设置于介电...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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